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离子溅射仪

离子溅射仪
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技术参数
仪器特点

  离子溅射仪集合了二极溅射模式之精华,并经重新定义设计,独特的电流与真空度记录曲线相结合可以进行常规的样品制样,还可以满足各种复杂特殊材料的样品制备要求,对于高分子薄膜,地质材料,半导体材料等各种样品的制备可以轻松应用。

稳定可靠的硬件,始终如一                   人性化操作界面,易懂易用

 良好的扩展功能,高瞻远瞩                   低使用成本设计,经济实用 


溅射系统

先进的高压直流溅射/磁控低压溅射              

高精密加工的金属溅射靶头                         

长寿命额定功率的直流溅射电源

高精度的真空测量系统

高性能的真空控制系统

可程序化设定的溅射周期


离子溅射仪是制备SEM样品和电极表面涂层广泛使用的一种方法,具有快捷、高效、无污染和大面积制备等优点。Microhezao离子溅射仪将成为大部分的物理或材料实验室样品制备的一部分。

 

            外形尺寸: 424× 290×2 65 (mm)     工作电压: 200-240VAC 50H z

     溅射电压: DC2400V                           控制模式: 微处理器控制

     最大功率: 500W                                 溅射电流: ≤30 mA

     溅射时间: ≤600s                                极限真空 : 0.1Pa

     工作真空: ≤30Pa                               膜层厚度: 内置膜厚估算(金靶)

     真空测量: 电阻规               真空 速 率: <2L /s

          


电源和环境要求

220V±10%,50/60Hz,

最大功率4KVA单独地线<30Ω(干燥地区<10Ω)

温度10-30℃(每小时变化<5℃)
湿度 80%以下






指 标 参 数

外形尺寸: 424× 290×2 65 (mm)

工作电压: 200-240VAC 50H z

溅射电压: DC 600V

控制模式: 微处理器控制

最大功率: 450W

溅射电流: ≤45 mA

溅射时间: ≤600s

极限真空 : 0.1Pa

工作真空: ≤30Pa

膜层厚度: 内置膜厚估算(金靶)

真空测量: 电阻规

真空 速 率: 1L/s


溅射系统

先进的高压直流溅射/磁控低压溅射              

高精密加工的金属溅射靶头                         

长寿命额定功率的直流溅射电源

高精度的真空测量系统

高性能的真空控制系统

可程序化设定的溅射周期